關於iShares Semiconductor ETF
發行人
BlackRock, Inc.
品牌
iShares
費用率
0.35%
成立日期
2001年7月10日
追蹤指數
ICE Semiconductor Index - Benchmark TR Gross
管理風格
消極
ISIN
US4642875235
類別
資產類別
權益
類別
部門
重點
資訊科技
利基
半導體
策略
普通
加權方案
市值
選擇標準
市值
基金裡有什麼
曝光類型
電子科技
生產製造
股票區域細分
6/28 SOXX(費城半導體指數) 閨中乳燕唯量不足，強撐495短線目標512SOXX(費城半導體指數 ETF) 昨天領漲，K線收高為「閨中乳燕」，為強烈的變盤訊號，但是量能不足，恐短短彈再跌，除非未來補量方可確認為波段起漲，否則短多操作為宜。
免責聲明：
我的全部視頻都是我個人觀點的分享，非投資建議，而且我的想法不一定全部都是正確，大家在做決定前一定要獨立思考、仔細評估。我無法為大家的盈利或損失負責。投資有風險，投資需謹慎。
6/6 SOXX(費城半導體指數) 遭遇線沖高回落 進入調整浪落底約439SOXX(費城半導體指數) ：
(1) K線出現「空頭遭遇線」後，沖高回落，為頂部反轉的K線訊號。
(2) 布林線出現閉口收斂，為高點已線，將回測中軸(月線)。
(3) 相對強弱指標已從超買區回落。
(4) 形態上，已達喇叭形向上突破的最小測幅滿足點。
(5) 波浪理論：日線已達第(５)浪延長ㄧ倍的測幅滿足點，目前可能做週線第④浪(再次調整浪)的回踩，落底位置約在439。
免责声明：
我的全部视频都是我个人观点的分享，非投资建议，而且我的想法不一定全部都是正确，大家在做决定前一定要独立思考、仔细评估。我无法为大家的盈利或损失负责。投资有风险，投资需谨慎。
2/15 SOXX(費城半導體指數）多方砲準備開砲, 第(3)小浪起漲, 目標價先看476美股 SOXX(費城半導體指數）K線為「多方砲」為中繼再漲的訊號，為第(4)小浪落底，第(5)小浪準備開砲起漲，按波浪理論公式計算：5浪=(1+3)浪的0.382,0.5或0.618倍，目標價分別可能為 451.94(=0.382), 463.97(=0.5),
476(=0.618)。。
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2/6 美股 SOXX(费城半导体指数) 倒鎚落空上漲受阻 為涨多拉回后再涨上星期五 SOXX K线 为「倒锤落空」，是短线见顶的讯号，恐有回踩，但拉回不会太深，多头格局并没有破坏，只是涨多先拉回整理后再涨，按波浪理论计算，若有拉回(或称回踩)，其落底位置约在413.08~405.37之间，也就是在413.09~405.37之间或有支撑。
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1/26 美股SOXX(费城半导体指数) 過山車但收陽孕育線 次日收高方解空頭反撲美股SOXX(费城半导体指数) 昨日開低走高上演過山車行情，收小陽線，但卻與大前天的大陽線，形成陽孕育線，次日要收高突破其高點，方能化解空頭反撲的壓力。
1/19 SOXX(費城半導體指數ETF) 第1小浪結束 第2小浪開始果然一如昨天的視頻所言，第1小浪頂到了393.53就拐頭向下， 第2小浪開始做回踩(拉回整理)，拉回落底的位置，按波浪理論計算(理論值)可能是在： 2浪=1浪的0.5或0.618倍的位置，即可能在364.94與358.15間落底。
美股 SOXX(费城半导体指数) 第1浪(初升浪)快走完，准备作第2浪回踩，宜利用第1浪(初升浪)回踩，拉回找买点，迎接第3浪(主升浪)。
目前美股SOXX(费城半导体指数ETF)：
(１) 在月线走邪恶第伍浪’Ｖ’(未升浪)，如左上图橘色线。
(２) 在周线走第三浪’③’(主升浪)，如右上图黄色色线。
(３) 日线走第1浪’(1)’(初升浪)，如左下图天蓝色
1/18 1SOXX(費城半導體指數ETF) V-③-(1)主升浪行情?目前美股SOXX(費城半導體指數ETF)：
(１) 在月线走邪惡第伍浪’Ｖ’(未升浪)，如左上圖橘色線。
(２) 在週線走第三浪’③’(主升浪)，如右上圖黃色色線。
(３) 日线走第1浪’(1)’(初升浪)，如左下圖天藍色線。
(４) 目前位階在第1浪快走完準備拉回做第2浪’(2)’調整，如右下圖四白色線。
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1/17 SOXX(費城半導體指數ETF) V-③-(1)主升浪行情目前美股SOXX(費城半導體指數ETF)：
(１) 在月线走邪惡第伍浪’Ｖ’(未升浪)，如左上圖橘色線。
(２) 在週線走第三浪’③’(主升浪)，如右上圖黃色色線。
(３) 日线走第1浪’(1)’(初升浪)，如左下圖天藍色線。
(４) 目前位階在第1浪快走完準備拉回做第2浪’(2)’調整，如右下圖四白色線。
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